新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
CGH09120F高功率氮化镓(GaN)晶体管
立维 | 2025-04-29 09:40:20    阅读:4   发布文章

CGH09120F是一款由 Wolfspeed(原CREE科锐)公司生产的高电子迁移率晶体管(HEMT),采用氮化镓(GaN)技术,具有高效率、高增益和宽带能力,支持宽带信号处理,尤其适合需要动态频率调整的系统。

主要特性

频率范围:UHF 至 2.5 GHz

功率输出:120 瓦。

增益:21 分贝。

工作电压:28 V

封装形式:陶瓷/金属法兰封装。

效率:在 20 W PAVE 时效率为 35%

应用优势:支持高度数字预失真(DPD)校正。

技术对比与优势

参数

CGH09120F

硅基LDMOS

备注

频率上限

2.5 GHz

通常<1 GHz

GaN在高频下效率更高

功率密度

4.3 W/mm²

1 W/mm²

适合紧凑型设计

效率(PAVE

35%

20%~25%

显著降低系统功耗

热阻

1.2°C/W

2.5°C/W

更优的散热能力

应用领域

无线通信基站

作为 LTEWCDMA 或 MC-GSM 基站功率放大器的核心器件,提供高效率、高线性的射频信号放大,降低基站能耗与运营成本。

适用于多载波聚合(CA)场景,通过 DPD 技术提升多载波信号的线性度。

雷达与电子战系统

在雷达发射机中实现宽带信号的高效放大,支持高分辨率成像与目标探测。

适用于电子战中的干扰机,通过高功率、宽带宽特性实现有效的信号压制。

卫星通信与微波回传

 Ka 频段或 Ku 频段卫星通信终端中,作为功率放大器件,提供稳定的信号增益与输出功率。

适用于微波回传链路,支持长距离、高容量的数据传输。


*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
推荐文章
最近访客