"); //-->
CGH09120F是一款由 Wolfspeed(原CREE科锐)公司生产的高电子迁移率晶体管(HEMT),采用氮化镓(GaN)技术,具有高效率、高增益和宽带能力,支持宽带信号处理,尤其适合需要动态频率调整的系统。
主要特性
频率范围:UHF 至 2.5 GHz。
功率输出:120 瓦。
增益:21 分贝。
工作电压:28 V。
封装形式:陶瓷/金属法兰封装。
效率:在 20 W PAVE 时效率为 35%。
应用优势:支持高度数字预失真(DPD)校正。
技术对比与优势
参数 | CGH09120F | 硅基LDMOS | 备注 |
频率上限 | 2.5 GHz | 通常<1 GHz | GaN在高频下效率更高 |
功率密度 | 4.3 W/mm² | 约1 W/mm² | 适合紧凑型设计 |
效率(PAVE) | 35% | 20%~25% | 显著降低系统功耗 |
热阻 | 1.2°C/W | 2.5°C/W | 更优的散热能力 |
应用领域
无线通信基站
作为 LTE、WCDMA 或 MC-GSM 基站功率放大器的核心器件,提供高效率、高线性的射频信号放大,降低基站能耗与运营成本。
适用于多载波聚合(CA)场景,通过 DPD 技术提升多载波信号的线性度。
雷达与电子战系统
在雷达发射机中实现宽带信号的高效放大,支持高分辨率成像与目标探测。
适用于电子战中的干扰机,通过高功率、宽带宽特性实现有效的信号压制。
卫星通信与微波回传
在 Ka 频段或 Ku 频段卫星通信终端中,作为功率放大器件,提供稳定的信号增益与输出功率。
适用于微波回传链路,支持长距离、高容量的数据传输。
*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。